當(dāng)?shù)貢r間10月29日，美股存儲板塊繼續(xù)狂飆，截至發(fā)稿，希捷科技大漲17.2%，西部數(shù)據(jù)漲超12%，SanDisk漲超10%，美光科技漲近3%。
值得注意的是，近兩個月美股存儲板塊漲幅驚人。希捷科技累漲54.41%，西部數(shù)據(jù)累漲72.37%，美光科技累漲89.13%，SanDisk累漲283%。
消息面上，存儲產(chǎn)品價格近期呈現(xiàn)出驚人的上漲態(tài)勢。據(jù)中國藍新聞，在浙江杭州，內(nèi)存條近一個月價格翻了一番。有商戶表示，原來200多元的內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元，原來1000多元的則漲到近2000元。
社交媒體上不少網(wǎng)友紛紛曬出自己所囤的內(nèi)存條，慶幸提前組裝了電腦，“真沒想到內(nèi)存條如今成了‘電子茅臺’，漲得比黃金還快。”
內(nèi)存價格暴漲
據(jù)界面新聞，TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。若以今日國際現(xiàn)貨黃金每盎司價格3998美元計算，較去年低位時的1890美元也只漲了115%。
從現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)來看，在10月13日至18日期間，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均價相較上周分別上漲20.59%、11.11%，相較上月漲幅更是高達58.73%、43%。
DDR全稱為Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率），是內(nèi)存條（即動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM）的核心技術(shù)標準，也是衡量內(nèi)存性能的關(guān)鍵指標之一。
存儲芯片具體可分為兩類：一是數(shù)據(jù)持久化存儲（如NAND閃存，斷電后數(shù)據(jù)不丟失），二是實時數(shù)據(jù)暫存（如DRAM，需持續(xù)供電，讀寫速度快）；其中，基于DRAM技術(shù)的高端品類HBM（高帶寬內(nèi)存），可滿足AI計算、服務(wù)器等場景中“海量數(shù)據(jù)(15.490, -0.12, -0.77%)實時流轉(zhuǎn)”的需求。
AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)結(jié)構(gòu)性失衡，是此輪漲價的核心邏輯。
自2022年11月ChatGPT誕生引發(fā)生成式人工智能熱潮并推動全球競相建設(shè)人工智能數(shù)據(jù)中心以來，存儲芯片制造商就一直在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM芯片的生產(chǎn)。
Yole Group預(yù)計，2025年，主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計將接近翻倍，達到約340億美元；HBM市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率，屆時其營收將超過DRAM市場總營收的50%。
值得一提的是，HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多，像OpenAI等企業(yè)提出的每月90萬片晶圓訂單，相當(dāng)于消耗了當(dāng)前全球DRAM月產(chǎn)能的53%。
此外，長鑫存儲等中國公司在低端DRAM芯片上日益激烈的競爭，也促使控制全球DRAM芯片市場約70%份額的韓國三星和SK海力士加速向高端芯片轉(zhuǎn)型。這些廠商自2025年初起便陸續(xù)調(diào)整戰(zhàn)略，逐步減少乃至計劃在2025年底至2026年初完全停止DDR4內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)，將產(chǎn)能全面轉(zhuǎn)向利潤更高、技術(shù)更先進的DDR5、HBM等產(chǎn)品。這直接擠壓了DDR4的產(chǎn)能空間，使得DDR4產(chǎn)量減少，市場上供不應(yīng)求。
為應(yīng)對漲價，早在年初就有不少經(jīng)銷商開始大量囤貨鎖價。在華強北等電子集散地，自二季度開始出現(xiàn)經(jīng)銷商大規(guī)模掃貨現(xiàn)象，導(dǎo)致民用市場的現(xiàn)貨流通量減少，進一步加劇了價格上漲。
TrendForce集邦咨詢7月發(fā)布的報告顯示，由于三大廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，并宣布個人電腦、服務(wù)器用DDR4及手機用LPDDR4X進入產(chǎn)品生命周期末期，引發(fā)了市場對上一代產(chǎn)品積極備貨，再加上正值存儲行業(yè)旺季，現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。2025年第三季度DRAM合約價上漲10%至15%，第三季漲價幅度達到40%至45%。
存儲芯片廠商賺翻了
據(jù)財聯(lián)社，根據(jù)韓國KB證券研究主管Jeff Kim預(yù)計，若當(dāng)前漲勢持續(xù)，明年非HBM內(nèi)存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。
據(jù)其估算，三星7—9月期間標準DRAM業(yè)務(wù)運營利潤率約為40%，HBM業(yè)務(wù)則達60%。美光科技上月預(yù)測，2026年HBM與非HBM業(yè)務(wù)均將保持健康的利潤率。
另一方面，存儲芯片價格飆升可能給消費電子和服務(wù)器制造商帶來額外成本壓力。這些企業(yè)本就因美國提高關(guān)稅和稀土短缺引發(fā)的潛在供應(yīng)鏈中斷而成本攀升。
部分企業(yè)正將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給消費者。例如英國個人電腦制造商Raspberry Pi本月早些時候就宣布漲價，稱內(nèi)存成本較一年前上漲約120%。其首席執(zhí)行官埃Eben Upton表示：“我們已到了必須分攤部分成本的階段。”
此前小米發(fā)布紅米K90手機時，創(chuàng)始人雷軍便將不同版本間價差過大歸因于存儲成本上漲。而小米集團合伙人、總裁盧偉冰則稱，“我們無法改變?nèi)蚬⿷?yīng)鏈的走勢，存儲成本上漲也遠高于預(yù)期，且會持續(xù)加劇。”
全球第二大存儲模組廠威剛董事長陳立白稍早表示，當(dāng)前DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價的局面，在其三十余年的行業(yè)生涯中前所未見。
他認為第四季度才是存儲大多頭的真正起點和嚴重缺貨的開始，也是存儲嚴重缺貨的開始，并預(yù)言明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。
